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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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Vollmaterial Hochgeschwindigkeits-Rf-Leistungstransistor-breites Band DC zu 3GHz 120W

Einzelheiten zum Produkt

Herkunftsort: China

Markenname: VBE

Zertifizierung: ISO

Modellnummer: VBE6006H

Zahlungs- und Versandbedingungen

Min Bestellmenge: 1pcs

Verpackung Informationen: Nullverpackung

Lieferzeit: 5-8 Werktagen

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10k

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Spezifikationen
Markieren:

Hochfrequenzleistungstransistor

,

Rf-Endverstärkertransistor

Zustand:
ganz neue und originelle
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Beschreibung
Vollmaterial Hochgeschwindigkeits-Rf-Leistungstransistor-breites Band DC zu 3GHz 120W

Vollmaterial Hochgeschwindigkeits-Rf-Leistungstransistor-breites Band DC zu 3GHz 120W 0

Vollmaterial Hochgeschwindigkeits-Rf-Leistungstransistor-breites Band DC zu 3GHz 120W 1

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